Apr 092019
 

Qualcomm on julkistanut keskihintaisiin älypuhelimiin lisää tehoa ja uusia ominaisuuksia tuovia järjestelmäpiirejä.

Uusista piireistä Snapdragon 665 voidaan mieltää seuraajaksi Snapdragon 636:lle ja 660:lle, ja Snapdragon 710:n jatkoksi 700-sarjaan esiteltiin Snapdragon 730 ja 730G.

Älypuhelimia näillä uusilla piireillä alkaa saapua markkinoille parin kuukauden päästä, vuoden puolivälistä alkaen.

Snapdragon 730 ja 730G valmistetaan 8 nanometrin tuotantoprosessilla, ja ne sisältävät kaksi tehokasta 2,2 gigahertsin Kryo 470 -ydintä (pohjana ARM Cortex-A76) ja kuusi virtapihiä 1,8 gigahertsin Kryo 470 -ydintä (pohjana ARM Cortex-A55).

Qualcommin mukaan Snapdragon 730 tarjoaa 35 prosenttia enemmän suorituskykyä peruslaskennassa ja 25 prosenttia paremman grafiikkasuorituskyvyn kuin Snapdragon 710.

Lisäksi 730G tarjoaa vielä 730-perusversiota 15 prosenttia paremman grafiikkasuorituskyvyn, tuen HDR-pelaamiselle sekä paremman näyttötuen. Snapdragon 730 tukee 2520×1080 pikselin näyttötarkkuutta, kun 730G:ssä tuki yltää 3360×1440 pikseliin asti. Molemmat piirit tukevat Vulkan 1.1 -grafiikkarajapintaa.

Snapdragon 730 ja 730G tukevat myös Qualcommin neljännen sukupolven tekoälykokonaisuutta, joka tuo jopa kaksinkertaisen suorituskyvyn näissä laskentatehtävissä verrattuna Snapdragon 710:een.

Sekä Snapdragon 730 että 730G sisältävät X15-modeemipiirin 800 megabitin 4G LTE -yhteyksiin sekä tuen Wi-Fi 6 2×2 MU-MIMO -yhteydelle.

Kuvankäsittelyyn piireissä on Spectra 350 -kuvasignaaliprosessori, joka tarjoaa edistyneemmän syvyysmittauksen ja tukee kolmea takakameraa. Yhden kameran tarkkuus voi olla jopa 192 megapikseliä, 48 megapikseliä taustalla tapahtuvalla moniruutuprosessoinnilla tai 36 megapikseliä ”suljnviiveettömällä” jatkuvalla tallennuksella. Kaksoiskameratuki yltää 22 megapikseliin. Videokuvausta tuetaan 4K-tarkkuudella 30 ruutua sekunnissa HDR10:n kera, 1080p:llä jopa 120 ruutua sekunnissa ja 720p:llä jopa 240 ruutua sekunnissa. Lisäksi Snapdragon 730G:llä onnistuu 720p-tarkkuus jopa 960 ruudun superhidastustilalla.

Edullisempi Snapdragon 665 on puolestaan valmistettu 11 nanometrin tuotantoprosessilla. Siinä on edeltävän Snapdragon 660:n tavoin neljä tehokkaampaa Kryo 260 -ydintä (pohjana ARM Cortex-A73) ja neljä virtapihimpää Kryo 260 -ydintä (pohjana ARM Cortex-A53). Kellotaajuus piirissä on tehoydinten osalta jopa aiempaa 0,2 gigahertsiä matalampi 2,0 gigahertsiä. Virtapihimmät ytimet ovat yhä 1,8 gigahertsiä.

Parannuksia kuitenkin myös Snapdragon 665:stä löytyy. Siinä on kolmannen sukupolven tekoälykokonaisuus, joka on tuplasti tehokkaampi kuin Snapdragon 660:ssa ja Spectra 165 -kuvasignaaliprosessori tuo tekoälyä mukaan myös kameraominaisuuksiin.

Grafiikkasuoritin on myös vaihtunut Adreno 512:sta Adreno 610:een. Mukana myös tuki Vulkan 1.1 -rajapinnalle. Näytön osalta tuetaan korkeimmillaan 2520×1080 pikselin tarkkuutta.

Snapdragon 665 sisältää X12-modeemin, joka yltää 600 megabitin 4G LTE -latausnopeuksiin.

Myös Snapdragon 665 tukee jopa kolmea kameraa. ”Suljinviiveetön” jatkuva tallennus onnistuu 25 megapikselin tarkkuudella. Kaksoiskameratuki yltää 16 megapikseliin.

Pikalatauksessa Snapdragon 665 tukee korkeintaan Qualcomm Quick Charge 3.0 -määrittelyä, kun Snapdragon 730 ja 730G sisältävät valmiuden Quick Charge 4+:lle.

Uusiin keskihintaisiin älypuhelimiin lisää tehoa ja tekoälyä: Qualcomm julkisti kolme uutta järjestelmäpiiriä
Lähde: Mobiili.fi